Hôm nay, Toshiba đã công bố phát triển thành công bộ nhớ NAND Flash 3D BiCS đầu tiên trên thế giới bằng công nghệ in xuyên silicon (Through Silicon Via – TSV).

Chip nhớ mới này là loại 3 bit trên 1 cell (TLC), cho phép lưu trữ 1 terabyte (TB) trên một phiến silicon với kiến trúc chồng ghép 16 đế chip thành một gói đơn.

Đồng thời, bộ nhớ được sản xuất bằng công nghệ TSV sẽ bao các điện cực dọc và các tuyến được in xuyên đế silicon, nhằm tạo ra các kết nối. Đây là công nghệ từng được giới thiệu với bộ nhớ Toshiba NAND Flash 2D.

Sự kết hợp giữa chip nhớ 3D 48 lớp và công nghệ TSV như vậy cho phép Toshiba tăng băng thông bộ nhớ mà vẫn đạt được mức tiêu thụ điện thấp trên từng gói chip, chỉ xấp xỉ một nửa so với thế hệ bộ nhớ BiCS sản xuất trên công nghệ hàn dây.

Toshiba cho hay sẽ thương mại hóa công nghệ này, nhằm cung cấp một giải pháp lưu trữ thỏa mãn các yêu cầu độ trễ thấp, băng thông cao, và hiệu năng IOPS trên mức điện năng tiêu thụ tốt hơn, đặc biệt là dành cho khách hàng doanh nghiệp.

Dự kiến sản phẩm thử nghiệm này sẽ có vào nửa cuối năm nay.

BÌNH LUẬN

Please enter your comment!
Please enter your name here